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Quando os chips encolhem para poucos nanômetros, o clássico transistor FinFET começa a vazar corrente. Os nós mais avançados adotam uma estrutura chamada gate-all-around (GAA), feita de nanofolhas empilhadas.
Um transistor de porta envolvente (gate-all-around) envolve completamente a porta em torno do canal por todos os lados, dando a ele um controle muito mais rígido sobre o fluxo de corrente do que designs anteriores e reduzindo drasticamente o vazamento de corrente, que se torna um problema sério à medida que os transistores encolhem para apenas alguns átomos de largura.
Remover a porta por completo eliminaria a capacidade do transistor de ligar e desligar a corrente, que é justamente o ponto central de um transistor, então essa descrição não faz sentido como um avanço. Armazenar dados sem energia descreve a tecnologia de memória não volátil, um conceito completamente diferente da geometria da porta de um transistor.
Esse design sucede o transistor FinFET, que tocava o canal em apenas três lados, e não nos quatro; os fabricantes de chips adotaram a porta envolvente justamente porque o FinFET estava ficando sem margem para continuar encolhendo sem vazar corrente demais para ser útil.
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