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HBM ist der bevorzugte Speicher für Spitzen-KI-Beschleuniger und wird nur von wenigen Herstellern wie SK Hynix, Samsung und Micron gefertigt.
HBM erreicht seine enorme Bandbreite, indem mehrere Speicherchips vertikal übereinander gestapelt und mit winzigen vertikalen Leiterbahnen, sogenannten Through-Silicon-Vias, verbunden werden, wodurch ein extrem breiter, kurzer Datenpfad direkt neben dem Prozessor entsteht, statt Speicher flach über eine Platine zu verteilen.
Einen einzelnen Chip mit höherer Spannung zu betreiben würde die Leistungsaufnahme und Wärmeentwicklung erhöhen, aber nicht grundlegend ändern, wie viele Daten gleichzeitig bewegt werden können, es ist also nicht die Quelle von HBMs Bandbreitenvorteil. Chips über die Hauptplatine zu verteilen ist im Grunde der gegenteilige Ansatz, das traditionelle flache Layout, das HBM ersetzen sollte.
Weil HBMs 3D-Stapelung so komplex herzustellen ist, wird es derzeit nur von einer Handvoll Unternehmen weltweit produziert, was es zu einem der engsten Lieferengpässe im boomenden Markt für KI-Beschleunigerchips gemacht hat.
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