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Quand les puces descendent à quelques nanomètres, le classique transistor FinFET commence à laisser fuir le courant. Les nœuds les plus avancés adoptent une structure dite gate-all-around (GAA), faite de nanofeuillets empilés.

Qu'est-ce qui distingue un transistor gate-all-around ?

La grille entoure le canal sur toutes ses faces
Dans les conceptions GAA, la grille enveloppe entièrement le canal, offrant un contrôle bien plus fin du courant et réduisant les fuites aux nœuds minuscules. Les fabricants peuvent ainsi continuer à miniaturiser au-delà du FinFET, qui ne touchait le canal que sur trois faces.

Un transistor « gate-all-around » enveloppe complètement sa grille autour du canal, sur toutes les faces, ce qui lui confère un contrôle bien plus étroit du flux de courant que les conceptions antérieures et réduit fortement la fuite de courant, un problème sérieux à mesure que les transistors rétrécissent jusqu'à ne plus mesurer que quelques atomes de large.

Supprimer complètement la grille éliminerait la capacité même du transistor à commuter le courant, ce qui est pourtant tout l'intérêt d'un transistor ; cette description n'a donc aucun sens en tant qu'avancée. Stocker des données sans alimentation décrit la mémoire non volatile, un concept totalement différent de la géométrie de grille d'un transistor.

Cette conception succède au transistor FinFET, qui ne touchait le canal que sur trois côtés au lieu des quatre ; les fabricants de puces ont adopté la structure « gate-all-around » précisément parce que le FinFET n'avait plus de marge pour continuer à rétrécir sans fuir trop de courant pour rester utilisable.

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