อะไรทำให้ทรานซิสเตอร์เกตล้อมรอบแตกต่าง?

ทรานซิสเตอร์แบบเกทล้อมรอบ (gate-all-around) ห่อหุ้มเกทของมันไว้รอบช่องสัญญาณอย่างสมบูรณ์ทุกด้าน ทำให้ควบคุมการไหลของกระแสไฟฟ้าได้แน่นหนากว่าการออกแบบก่อนหน้ามาก และลดการรั่วไหลของกระแสไฟฟ้าที่กลายเป็นปัญหาร้ายแรงเมื่อทรานซิสเตอร์หดเล็กลงจนเหลือเพียงไม่กี่อะตอม

การนำเกทออกไปทั้งหมดจะทำให้ทรานซิสเตอร์ไม่สามารถเปิดปิดกระแสไฟฟ้าได้ ซึ่งเป็นจุดประสงค์ทั้งหมดของทรานซิสเตอร์ ดังนั้นคำอธิบายนี้จึงไม่สมเหตุสมผลในฐานะความก้าวหน้า การเก็บข้อมูลโดยไม่ใช้พลังงานไฟฟ้าอธิบายเทคโนโลยีหน่วยความจำแบบไม่ลบเลือน ซึ่งเป็นแนวคิดที่แตกต่างโดยสิ้นเชิงจากรูปทรงเกทของทรานซิสเตอร์

การออกแบบนี้สืบทอดต่อจากทรานซิสเตอร์ FinFET ซึ่งสัมผัสช่องสัญญาณเพียงสามด้านแทนที่จะเป็นสี่ด้านทั้งหมด และผู้ผลิตชิปนำ GAA มาใช้โดยเฉพาะเพราะ FinFET กำลังหมดพื้นที่ในการหดเล็กลงต่อไปโดยไม่รั่วไหลกระแสไฟฟ้ามากเกินกว่าจะใช้งานได้