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當晶片縮小到幾奈米時,傳統的 FinFET 電晶體開始漏電。最先進的製程改用一種稱為環繞式閘極(GAA)的結構,由堆疊的奈米片構成。

環繞式閘極電晶體有何不同?

閘極從各個方向包住通道
在 GAA 設計中,閘極從四面八方包覆通道,能更精確地控制電流,並減少微小製程下的漏電。這讓晶片廠得以超越只接觸通道三面的 FinFET,繼續微縮製程。

環繞閘極電晶體(gate-all-around,GAA)的閘極從各個方向完全包覆通道,相較於早期設計對電流流動的控制力強得多,並大幅減少了電晶體縮小到僅剩幾顆原子寬度時日益嚴重的漏電問題。

完全移除閘極會使電晶體失去開關電流的能力,而這正是電晶體存在的全部意義,因此這種說法根本說不通,不能算是一種進步。無需供電也能儲存資料描述的是非揮發性記憶體技術,與電晶體閘極幾何結構完全是兩回事。

這項設計是鰭式場效電晶體(FinFET)的後繼者,後者只從三個面接觸通道,而非四面都接觸;晶片廠商之所以採用GAA,正是因為FinFET已經沒有空間再繼續縮小,否則漏電問題將嚴重到無法使用。

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