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HBMは最先端のAIアクセラレータに選ばれるメモリで、SKハイニックス・サムスン・マイクロンなど少数の企業しか作っていない。

広帯域メモリ(HBM)はどうやって巨大な帯域幅を実現するのか?

メモリチップを垂直に積み重ねることで
HBMは複数のDRAMダイを上に積み重ね、シリコン貫通電極(TSV)でつなぐことで、プロセッサのすぐ近くに非常に幅広いデータ経路を作る。この3次元積層は、チップを平らに並べる方式よりはるかに大きな帯域幅をもたらす。

HBMは、複数のメモリチップを垂直に積み重ね、貫通シリコンビア(TSV)と呼ばれる微細な垂直配線で接続することで、この巨大な帯域幅を実現している。回路基板上に平らに広げるのではなく、プロセッサのすぐそばに非常に幅広で短いデータ経路を作り出す仕組みだ。

単一のチップをより高い電圧で動かせば消費電力と発熱が増えるだけで、一度に動かせるデータ量そのものを根本的に変えるわけではないため、HBMの帯域幅優位の源にはならない。チップをマザーボード上に平らに配置するのは、むしろ正反対のアプローチであり、HBMが置き換えようとした従来の平面レイアウトそのものだ。

HBMの3次元積層は製造がきわめて複雑なため、現在は世界でも一握りの企業しか生産できず、活況を呈するAIアクセラレーターチップ市場において、最も逼迫した供給ボトルネックの一つとなっている。

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